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填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法
编号：S000019292
刷新日期：
有效日期至：
2020-11-04
浏览：
2276
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]Si
a
N
b
O
c
H
d
在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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