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半导体芯片与封装结构以及其形成方法
编号:S000019291 刷新日期: 有效日期至:2020-12-01 浏览:2090 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体芯片,包含基底、穿硅通孔结构、上凸块以及绝缘结构。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。通孔设置于基底中,贯穿上表面以及下表面。穿硅通孔结构设置于通孔中,包含第一通孔金属与第二通孔金属。上凸块设置于上表面上,与穿硅通孔结构电性连接,并包含第一凸块金属与第二凸块金属。绝缘结构设置于基底中并远离上表面,而围绕第二通孔金属。本发明另外还提供了一种封装结构与其形成方法。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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