本发明涉及室温原位控制合成氧化银半导体薄膜材料的方法，其特征在于：将表面覆盖有单质银薄膜的基底材料放入UV-O₃反应器中，保持体系的相对湿度为30～90%，在氧气或空气存在的条件下，10～40℃反应1～2小时，即可在基底表面原位制得Ag_xO（AgO或Ag₂O）半导体薄膜材料，所述的UV-O₃反应器即UV-O₃清洗机。该方法反应过程不需要使用任何溶剂、表面活性剂或其它化学添加剂，操作简单，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。