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带有增强型源极-金属接头的屏蔽栅极沟槽金属氧化物半导体场效应管
编号:S000019275 刷新日期: 有效日期至:2020-12-13 浏览:2153 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件,包含:一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽;一个在栅极沟槽中的栅极电极;一个沉积在栅极电极上方的电介质材料;一个在栅极沟槽附近的本体区;一个嵌在本体区中的源极区,至少一部分源极区延伸到电介质材料上方;一个接触沟槽,使源极区和本体区之间能进行电气等接触;以及一个沉积在至少一部分栅极沟槽开口、至少一部分源极区以及至少一部分接触沟槽上方的金属层。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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