一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。