本发明的目的在于提供一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，具体步骤为：将装有铜、铟、镓三种原料的石英坩埚放入真空感应炉中，抽真空，通入氩气，感应炉的真空度为20-30mmHg，逐渐升温到500-700℃，随后升温到900-1100℃，熔炼10-30min，随炉冷却，得到铜铟镓三元合金；将制好的铜铟镓三元合金与硒粉分别装入石英管的两端，抽真空，将石英管封管；采用管式炉对装有铜铟镓一端的石英管加热到850-950℃；用管式炉对石英管另一端装有硒粉的部分加热，加热到300-330℃，保温0-20min；300℃到500℃保温1-20h；500℃加热到750℃；当硒粉一端温度达750℃时，将铜铟镓一端的温度降到750℃，使铟与硒在750℃下反应5-60小时；关闭管式炉停止加热，冷却到室温，得到铜铟镓硒固体样品。