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多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料及其制备方法
编号:S000019245 刷新日期: 有效日期至:2020-12-03 浏览:2493 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料及其制备方法,该材料是以乙二醇(或二甘醇)和丙三醇作为溶剂,以多壁碳纳米管、AgNO3、Bi(NO3)3·5H2O作为原料,以硫代氨基脲作为配位剂和还原剂,采用溶剂热法在多壁碳纳米管上原位修饰AgBiS2半导体纳米粒子。本发明的制备方法无需事先对碳纳米管进行氧化处理,使得碳纳米管的结构和性能的完整性得到了很好的保护,也不必在碳纳米管表面预修饰聚合物或表面活性剂,且为首次将半导体AgBiS2纳米粒子修饰在碳纳米管上,具有操作简单、原料成本低廉和易得等诸多优点,适合工业化大生产与实际应用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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    转让类型:技术转让