本发明公开了一种硫化亚铜微米环状结构半导体材料，其中包括片状物构成的层级结构和颗粒构成的多孔环状结构。本发明还公开了所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料的制备方法，将无水乙醇和去离子水混合制备混合溶液，分别制备硫脲溶液和CuCl溶液，然后均匀混合；加入反应釜中，密封，在150℃下反应5小时；反应完成后，将反应物置于硅片上，在55℃下烘烤，得到所述硫化亚铜微米环状结构半导体材料。本发明具有低成本，生长温度较低，重复性较高的优点，在光催化工业污染废水方面和场发射发光方面有极大的潜力。