本发明提供非易失性半导体存储装置及其数据写入方法。该非易失性半导体存储装置具有存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括：构成为能够保持多个阈值电压分布的多个存储器单元；和共同连接于多个存储器单元的栅的多条字线。控制电路在执行了对存储器单元施加至少一部分为负的阈值电压分布从而删除存储器单元的数据的删除工作后，执行对存储器单元施加正的多种阈值电压分布中的最低的阈值电压分布的多次第一写入工作。控制电路，在多次第一写入工作的执行时、从控制器接受执行除了删除工作和第一写入工作以外的其他的工作的第一执行指令的情况下，在多次第一写入工作之间执行其他的工作。