本发明涉及一种基于自对准双图案的半导体制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成的低k材料或超低k材料层上方形成含硅掩膜层；在该含硅掩膜层上方形成不含氮的氧化物掩膜层；在该不含氮的氧化物掩膜层上方形成金属掩膜层；在该金属掩膜层上方形成氧化物掩膜层；图案化所述氧化物掩膜层；在所述图案化了的氧化物掩膜层和所述金属掩膜层上沉积氮化物，然后对该氮化物进行蚀刻，以在所述氧化物掩膜层的侧壁形成间隔壁；进行一端切步骤，以去除所述氧化物掩膜层两端的氮化物间隔壁；沉积一氧化物，以填充所述氮化物间隔壁之间的空隙；去除所述氮化物间隔壁。本发明的优点在于提高了制造过程中氧化物和氮化物的选择性。