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银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法
编号:S000019211 刷新日期: 有效日期至:2020-11-25 浏览:2034 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料,其包括银纳米晶和CdSe/ZnS量子点,所述银纳米晶和CdSe/ZnS量子点之间由静电作用结合而成,其颗粒形貌均一,分散性良好,发光效率高。本发明还公开了银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料的制备方法,该方法可在常温常压下进行,简单易行,成本低,适于广泛应用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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