本发明涉及半导体传感器技术领域，尤其是指微光电感单元及其背读式半导体光电倍增管及其组件；该光电倍增管及其组件由背面每一微光电感单元提供信号，可允许正面光探测的大填充因数；背读式半导体光电倍增管的配置允许大面积填充，且不产生槽栅；背读式半导体光电倍增管的另一优点在于它允许无源和/或有源电子电路应用于背面或单独的特定集成电路(ASIC)来进行信号处理（模拟量和/或数码），同时不影响光子探测效率；各个微光电感单元可凸点键合到有匹配线路板的集成电路用于信号处理；该设计有来自电子体所产生的载流子的天然暗计数率和串扰抑制；此外，槽栅可进一步减少雪崩区域内微光电感单元之间的串扰。