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半导体晶片的热处理方法、太阳能电池的制造方法及热处理装置
编号:S000019190 刷新日期: 有效日期至:2020-12-02 浏览:2491 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明得到一种使用横型的热处理炉进行均匀性优良的热处理的半导体晶片的热处理方法及使用其的太阳能电池的制造方法。其具有:将多个半导体晶片(1)相互平行立起地搭载于处理用舟皿(2)的工序;沿多个半导体晶片(1)的平面相对于管(3)的延伸方向平行的方向将处理用舟皿(2)投入管(3)内的喷射器(5)的上方的空间的工序;从喷射器(5)的开口部(H)将原料气体向管(3)内连续地供给的同时加热管(3)的工序。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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