本发明公开了一种沟渠式金属氧化物半导体结构，包括基材、外延层、掺杂井、掺杂区域和沟渠式栅极。第一导电类型的基材，具有第一面以及与第一面相对的第二面。第一导电类型的外延层，位于第一面上。第二导电类型的掺杂井，位于外延层上。第一导电类型的掺杂区域，位于掺杂井上。沟渠式栅极至少部分地位于掺杂区域中。沟渠式栅极为瓶形轮廓，并有小于底部的顶部，两者均部分地位于掺杂井中。两个相邻的沟渠式栅极的底部，导致较高的电场环绕沟渠式金属氧化物半导体结构。