本发明涉及将单晶半导体层转移到支承衬底上的方法。这种将单晶半导体层（3）转移到支承衬底（1）上的方法包括以下步骤：a）将物种注入施主衬底（31）；b）将施主衬底（31）键合至所述支承衬底（1）；c）使施主衬底（31）断裂以便将层（3）转移到支承衬底（1）上；以及以下步骤：使待被转移的单晶层（3）的部分（34）变为非晶，而没有打乱所述层（3）的第二部分（35）的晶格，所述部分（34、35）分别为所述单晶层（3）的表面部分和隐埋部分；所述非晶部分（34）在低于500℃的温度下再结晶，所述第二部分（35）的晶格用作再结晶的籽晶。