本发明公开了一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联的单胞构成有源区，有源区的外围设置有终端保护区，终端保护区包括至少一个分压环和至少一个截止环，截止环位于分压环的外围；终端保护区内设置有第一沟槽，第一沟槽形成终端保护区的分压环；所述第一沟槽内壁生长有绝缘栅氧化层，沟槽内的两侧分别设置有第一多晶硅场板和第二多晶硅场板，第一多晶硅场板与第二多晶硅场板通过绝缘介质层相隔离；第一沟槽两侧及底部设置有第二导电类型层。本发明还公开了上述半导体功率器件的制造方法。本发明在降低半导体功率器件制造成本的同时，还大大提高了半导体功率器件的耐压能力和可靠性。