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一维ZnO/SnO
2
核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法
编号:S000019142
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-21
浏览:
2400
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种一维ZnO/SnO
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核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO
2
制备一维ZnO/SnO
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核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可控性强、环境友好,且SnO
2
包覆均匀。制备出的ZnO/SnO
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一维核壳结构纳米异质结材料在太阳能电池、气体传感器以及光催化等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。
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认证方式:
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