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用于半导体器件的测试方法
编号:S000019135 刷新日期: 有效日期至:2020-11-25 浏览:2529 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
根据本发明的实施例,一种制造半导体器件的方法包括提供晶圆,晶圆具有顶面和相对的底面。顶面包括多个切割通道。该晶圆包括邻近顶面的多个晶片。多个晶片中的每个晶片通过多个切割通道的一个切割通道与多个晶片中的另一个晶片隔开。沟道从顶面形成在晶圆中。沟道沿多个切割通道定向。沟道形成后,对多个晶片进行测试,以识别第一类晶片,第一类晶片待与多个晶片中的其余晶片分离。测试多个晶片后,从背面对晶圆进行磨削加工。该磨削加工将该晶圆分成多个晶片。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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