本发明涉及非易失性半导体存储装置。在写入时，执行对第一存储器基元的第一写入操作；以及执行向与所述第一存储器基元邻近的第二存储器基元提供第一阈值电压分布的第二写入操作。所述第一阈值电压分布是正阈值电压分布当中的最低阈值电压分布。验证是否已在所述第一存储器基元中获得所希望的阈值电压分布(第一写入验证操作)，而且，验证是否已在所述第二存储器基元中获得所述第一阈值电压分布或电压水平大于所述第一阈值电压分布的阈值电压分布(第二写入验证操作)。控制器电路输出所述第一写入验证操作和所述第二写入验证操作的结果。