本发明的目的是得到下述半导体器件，即能够与P型阳极层的杂质浓度无关地保持耐压，同时能够利用P型阳极层的杂质浓度控制导通电压，由此不进行寿命控制就能够控制导通电压与恢复损耗的折衷选择性，而且能够抑制阶跃现象。解决手段是，在N^-型漂移层(1)上设置P型阳极层(2)。贯通P型阳极层地设置沟槽(3)。在沟槽(3)内隔着绝缘膜(4)埋入导电性物质(5)。N^-型漂移层(1)与P型阳极层(2)之间设置N型缓冲层(6)。N型缓冲层(6)具有比N^-型漂移层(1)更高的杂质浓度。