本发明公开了一种沟渠式金氧半导体结构，包含基材、外延层、沟渠、栅极绝缘结构、沟渠式栅极、保护环、以及位于此保护环中的强化结构。基材具有第一导电型、第一面、以及相对第一面的第二面。外延层具有第一导电型并位于第一面上。沟渠位于外延层中。栅极绝缘结构覆盖沟渠的内表面。沟渠式栅极位于沟渠中并具有第一导电型。保护环具有第二导电型并位于外延层中。强化结构具有电性绝缘材料并位于此保护环之中。