一种器件包括接合至衬底的芯片。该芯片包括：导电柱，该导电柱具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)；以及衬底，该衬底包括导电迹线和位于导电迹线上面的掩模层，其中掩模层具有暴露出一部分导电迹线的开口，其中，在导电柱和导电迹线的暴露部分之间形成互连，开口具有沿着导电柱的长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着导电柱的短轴测量的第二尺寸(d2)，并且L与d1的比值大于W与d2的比值。本发明提供半导体器件中的伸长凸块结构。