本发明公开了一种化合物半导体太阳能电池，其特征在于：在电池欧姆接触叠层内插入一隧穿结，从而改变欧姆接触层表面的导电类型。对于本发明所公开的外延结构，其欧姆接触层内插入的隧穿结厚度较薄，将不会导致电池外延成本的有效增加；另一方面电池欧姆接触层表面导电类型的改变，将使得可以选用较为廉价的金属用于制作电池芯片电极，即在保证电池性能的前提下，有效降低了太阳能电池的生产成本。