本发明公开一种元件内埋式半导体封装件的制作方法。提供金属基板。形成一金属层于金属基板上，其中金属层包覆金属基板。金属层具有彼此相对的上表面与下表面及连接上表面与下表面的第一侧表面。形成图案化光致抗蚀剂层于金属层上，其中图案化光致抗蚀剂层暴露出部分上表面与部分下表面。形成多个接垫于图案化光致抗蚀剂层所暴露出的金属层的上表面及下表面上，且图案化光致抗蚀剂层包覆各接垫的第二侧表面。移除图案化光致抗蚀剂层，以暴露出接垫的第二侧表面。设置多个电子元件于接垫上。压合一绝缘层于金属层上，且绝缘层覆盖电子元件、接垫及部分金属层。