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基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器
编号:S000019099 刷新日期: 有效日期至:2020-12-15 浏览:2397 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种基于片上加热电阻波长调谐的V型耦合腔半导体激光器。包括半波耦合器、固定增益腔和波长调谐腔构成的V型耦合腔半导体激光器;在波长调谐腔的顶部具有一段加热薄膜电阻,加热薄膜电阻与V型耦合腔半导体激光器的电注入金属电极之间具有一层电绝缘薄层;或者在波长调谐腔的一个侧面具有一段加热薄膜电阻;加热薄膜电阻的两端分别引出电极。本发明相对电流注入调谐,能够降低电流噪声影响,提高半导体激光器的线宽稳定性,并通过增益谱随温度移动增加波长调谐范围。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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