一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供包括相邻的第一区域和第二区域的半导体衬底，半导体衬底表面形成有绝缘层，分别贯穿第一区域绝缘层的第一开口和第二区域绝缘层的第二开口，且第一开口的底部和侧壁形成有第一功能层、与绝缘层表面齐平的第一牺牲层；形成第二功能层，第二功能层不仅位于第二开口的底部和侧壁，还覆盖绝缘层和第一牺牲层表面；形成位于第二区域的第二牺牲层；在同一步骤中去除第一区域的第二功能层、第一牺牲层和第二牺牲层；形成覆盖第一功能层的第一栅电极层和覆盖第二功能层的第二栅电极层。本发明实施例形成的CMOS管的栅极高度与设计高度相同，工艺步骤简单，CMOS管的性能稳定。