本发明公开了一种具有双功能的非挥发性半导体记忆单元。该非挥发性半导体记忆单元包括基底、第一闸极、第二闸极、第三闸极、电荷储存层、第一扩散区、第二扩散区和第三扩散区。该第二闸极和该第三闸极是用以接收有关于该双功能中的可一次编程功能的第一电压和有关于该双功能中的可多次编程功能的第二电压。该第一扩散区是用以接收有关于该可一次编程功能的第三电压和编程功能有关于该可多次编程功能的第四电压。该第二扩散区是用以接收有关于该可多次编程功能的第五电压。因此，相较于现有技术，该非挥发性半导体记忆单元不仅具有较现有技术佳的效能，亦具有较现有技术简单的架构以实现该可一次编程功能和该可多次编程功能。