一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，是pn结型异质结构的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：n型氮化铝镓铟层；发光层，其包含与n型氮化铝镓铟层接触地配置并且含有晶格常数比n型氮化铝镓铟层大的晶体的氮化镓铟层；和设置在发光层上的p型氮化铝镓铟层，包含原子半径比n型氮化铝镓铟层内的铟小的元素的施主杂质的原子浓度，与n型氮化铝镓铟层的内部相比在n型氮化铝镓铟层和发光层的界面较低，并且，发光层内的施主杂质的原子浓度，与发光层和n型氮化铝镓铟层的界面相比在发光层和p型氮化铝镓铟层的界面较高。