提供用于制造双极穿通半导体器件的方法，其中进行下面的步骤：（a）提供具有第一和第二侧（11，2）的第一高掺杂晶圆（10），其至少在第一侧（11）上采用第一导电类型的第一微粒掺杂，（b）提供第一导电类型的第二低掺杂晶圆（20），其具有第三侧和第四侧，（c）形成晶圆叠层，其通过使第一晶圆（10）在其第一侧（11）上与第二晶圆（20）在其第四侧（22）上接合在一起而具有晶圆叠层厚度，（d）之后进行扩散步骤，由此形成扩散的间隙层（31），其包括第一晶圆（10）的第一侧部分和第二晶圆（20）的第四侧部分，其中在完成器件中具有未更改掺杂浓度的第二晶圆的那部分形成漂移层（2），（e）之后在第三侧（21）上形成第二导电类型的至少一个层，（f）之后在间隙层（31）内且第二晶圆（20）内从第二侧（12）减少晶圆叠层厚度使得形成缓冲层（3），其包括在第四侧（22）上具有比漂移层（2）更高的掺杂浓度的晶圆叠层的剩余部分。