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一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法
编号:S000019070 刷新日期: 有效日期至:2020-12-10 浏览:2438 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的制作方法,包括:制作栅极;制作体区,其中所述体区包含体区弯度,其中制作所述体区包括:在所述半导体衬底上制作阱,其中所述阱为第一掺杂类型;制作基区,其中所述基区为所述第一掺杂类型,所述基区和所述阱部分重叠,且所述基区比所述阱深度浅;以及制作源极区和漏极接触区,其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型,所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接,所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧;其中通过调节所述阱的布图宽度来调节所述体区弯度。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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