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用于高压半导体功率器件的边缘终接的新型及改良型结构
编号:S000019057 刷新日期: 有效日期至:2020-12-24 浏览:2383 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件,并且具有一个有源元件区和一个边缘终接区,其中边缘终接区包括一个用场拥挤衰减填充物填充的宽沟槽,以及一个掩埋在半导体衬底顶面下方的掩埋场板,并且所述的掩埋场板还在场拥挤场的顶部上方横向延伸,以便使峰值电场横向远离有源元件区。在一个特定实施例中,场拥挤衰减填充物包括填充在宽沟槽中的氧化硅。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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