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一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法
编号:S000019047 刷新日期: 有效日期至:2020-11-08 浏览:2284 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 山东 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明属于半导体材料与器件领域,特别涉及一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法。(1)合成黄原酸锌单源前驱体;(2)制备单源黄原酸锌前驱体溶液;(3)制备硫化锌薄膜。本发明工艺简单易操作,原料廉价易得,所制备的硫化锌薄膜结晶质量高,成分易控制,外观上连续,均匀,致密,表面平整光亮,且与衬底的结合牢固可靠,也可在形状复杂的衬底上制备薄膜;通过上述工艺可以避免通常的多步复杂工艺、工艺周期长或高真空昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产,所制备的硫化锌薄膜可应用于太阳能电池、平板显示器和发光二极管等光电器件中。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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