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> 技术详情
一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法
编号:S000019047
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-08
浏览:
2284
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 山东
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明属于半导体材料与器件领域,特别涉及一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法。(1)合成黄原酸锌单源前驱体;(2)制备单源黄原酸锌前驱体溶液;(3)制备硫化锌薄膜。本发明工艺简单易操作,原料廉价易得,所制备的硫化锌薄膜结晶质量高,成分易控制,外观上连续,均匀,致密,表面平整光亮,且与衬底的结合牢固可靠,也可在形状复杂的衬底上制备薄膜;通过上述工艺可以避免通常的多步复杂工艺、工艺周期长或高真空昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产,所制备的硫化锌薄膜可应用于太阳能电池、平板显示器和发光二极管等光电器件中。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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