本发明关于集成电路制造，更具体地说是关于金属栅极结构。CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底，该衬底包括P-有源区域，N-有源区域，和插入所述P-有源区域和所述N-有源区域之间的隔离区域；在P-有源区域上方的P-金属栅电极，P-金属栅电极延伸到隔离区域的上方；和在N-有源区域上方具有第一宽度的N-金属栅电极，N-金属栅电极延伸到隔离区域的上方并且在隔离区域中具有与P-金属栅电极电接触的接触段，其中接触段具有比第一宽度大的第二宽度。