本发明涉及集成电路制造，更具体而言，涉及金属栅极结构。半导体器件的示例性结构包括：衬底，该衬底包括分离并围绕P型有源区和N型有源区的隔离区；位于P型有源区上方的P型栅极结构中的P型功函数金属层，其中，所述P型功函数金属层包括第一底部和第一侧壁，其中，第一底部包括具有第一厚度的第一金属化合物层；以及位于所述N型有源区上方的N型栅极结构中的N型功函数金属层，其中，N型功函数金属层包括第二底部和第二侧壁，其中第二底部包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二金属化合物层。