半导体设备包括IGBT形成区域和二极管形成区域。IGBT形成区域包括用作IGBT的IGBT操作区段和不用作IGBT的减薄区段。IGBT操作区段包括沟道区域（4a），并且减薄区段包括第一阳极区域（4b）。二极管形成区域包括第二阳极区域（4d）。当将面密度定义为通过对沟道区域（4a）、第一阳极区域（4b）和第二阳极区域（4d）中的每一个区域中的第二导电型杂质的浓度分布曲线在深度方向上进行积分所计算的值时，沟道区域（4a）的面密度高于第一阳极区域（4b）的面密度和所述第二阳极区域（4d）的面密度。