本发明公开了一种具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅，介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间，有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为N型硅层、P型硅层和N⁺硅层三部分；本发明采用在介质埋层与有源顶层硅间设置N⁺硅层，使得该器件在反向阻断状态时，界面部分耗尽的高浓度电离施主增强介质埋层电场，并有效调制有源顶层硅内电场分布，从而有效提高器件纵向耐压和器件横向耐压。同时，有源顶层硅中的P型硅层可调节该器件的RESURF条件，缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾。