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> 技术详情
一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法
编号:S000019019
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-19
浏览:
2688
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法,其中,包括下列步骤:在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜;对源漏极上方的侧墙薄膜进行与竖直方向形成一定角度的离子注入;对侧墙薄膜进行刻蚀,在半导体器件的栅极上形成侧墙,调节侧墙刻蚀菜单以使得刻蚀后的侧墙源极的宽度减小,漏极的宽度增大;进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在保持沟道有效长度不变的情况下,降低了漏端的纵向电场强度,从而减小了半导体器件栅致漏极泄漏电流。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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