本发明提供了一种金属连线的制作方法及半导体结构的制作方法，所述金属连线的制作方法，包括：在半导体衬底的介电层内形成沟槽；在所述沟槽内填充金属材料，所述金属材料至少充满所述沟槽；对所述沟槽内的金属材料进行电磁辐射处理。由于半导体金属材料对红外光、微波等电磁辐射的吸收能力很强，因而被辐射后，沟槽内的金属材料能产生大量热量，继而融化，从而将其内的空穴缺陷消除。