一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有支撑部；形成位于所述支撑部侧壁的可流动层；在形成所述可流动层后，去除所述支撑部；去除所述支撑部后，对所述可流动层进行处理，形成侧壁平坦的侧墙。后续以所述侧壁平坦的侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，形成鳍式场效应管时，形成的鳍部的尺寸沿半导体衬底表面方向的精准度高，质量好，鳍式场效应管的性能稳定。