本申请案涉及一种具有改良性能的大型CMOS图像传感器像素。图像传感器像素包括具有第一掺杂类型的、安置在半导体材料中的光敏元件。具有所述第一掺杂类型的深延伸安置在所述半导体材料中的所述光敏元件下面且与其重叠。浮动扩散安置在所述半导体材料中。传送栅极安置在安置于所述半导体材料上方的栅极氧化物上方。所述传送栅极安置在所述光敏元件与所述浮动扩散之间。所述光敏元件及所述深度延伸以从所述传送栅极下面延伸的“U”型形状堆叠在所述半导体材料中。