本发明涉及一种改善半导体器件电性参数的方法，应用于采用应力记忆技术的半导体器件制备工艺中，其中，所述方法包括：提供一表面设置有栅极结构的衬底，且该衬底中临近所述栅极结构的两侧设置有漏区和源区；制备缓冲层覆盖所述栅极结构的表面和所述衬底暴露的表面；制备应力层覆盖所述缓冲层的表面；对所述应力层进行刻蚀，以部分保留覆盖于所述栅极结构表面的应力层；采用峰值退火工艺对所述衬底和栅极进行热处理；采用激光退火工艺对所述衬底和栅极进行热处理，以阻止所述源区和漏区中的离子进一步扩散；去除剩余的应力层。采用本发明方法制备高性能器件能够改善器件的关态漏电流电性参数。