本发明实施例公开了一种半导体集成器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，该基底包括有源区和隔离区、电阻形成层和牺牲层；去除部分牺牲层材料和电阻形成层材料，在形成伪栅和电阻，伪栅包括部分电阻形成层材料和牺牲层材料，电阻仅包括部分电阻形成层材料，电阻的表面高度低于伪栅的表面高度；形成第一介质层；平坦化第一介质层，仅暴露出伪栅表面；形成金属栅开口；填充金属栅开口，得到金属栅极。本发明实施例通过在电阻形成层表面上设置牺牲层，之后去除电阻上方的牺牲层，而保留伪栅区域的牺牲层，使伪栅表面的高度高于电阻表面的高度，避免在后续平坦化过程中损伤到电阻表面，使电阻的阻值满足设计要求，提高了半导体集成器件的良率。