一种半导体检测结构及形成方法，所述半导体检测结构包括：基底，位于基底第一区域上的第一待检测单元，位于基底第二区域上的第二待检测单元，位于基底上的N型掺杂结构和P型掺杂结构，与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的一端电连接的第一金属层，一个第一金属层对应于一个第一待检测单元，与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的另一端电连接的第二金属层，一个第二金属层对应于一个第二待检测单元，所述N型掺杂结构、第一金属层、P型掺杂结构、第二金属层串联后与交流电源相连接。通过在所述N型掺杂结构、P型掺杂结构和金属层之间通交流电，利用珀尔帖效应对所述第一待检测单元、第二待检测单元进行快速的升温和降温，检测时间和成本较低。