本发明公开了一种检测半导体圆形接触孔圆度的方法，其属于半导体制造技术领域，在半导体晶圆上设置多个检测电路结构：在半导体晶圆上设置N型有源区和P型有源区；采用二氧化硅隔离N型有源区和P型有源区；N型有源区设置在P型阱中，P型有源区设置在N型阱中；采用多晶硅栅桥接N型有源区和P型有源区，在两个有源区和多晶硅栅之间用栅氧化层隔离以形成互不导通的各自独立部分；在N型有源区上连接有圆形接触孔，在P型有源区和多晶硅栅上连接有椭圆形接触孔；检测圆形接触孔的圆度；上述技术方案的有益效果是：可以有效、全面地反映出接触孔圆度的工艺水平，为45纳米以下的先进接触孔工艺开发提供支持，缩短开发周期。