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半导体结构及其制造方法
编号:S000018979 刷新日期: 有效日期至:2020-11-13 浏览:2401 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,其结构包括一衬底、一第一叠层结构、以及一第一导电层。第一叠层结构形成于衬底上,第一叠层结构包括一导电结构和一绝缘结构,导电结构是设置邻接于绝缘结构。第一导电层形成于衬底上并围绕第一叠层结构的两侧壁和部份顶部,以暴露出第一叠层结构的一部分。
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