本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，其结构包括一衬底、一第一叠层结构、以及一第一导电层。第一叠层结构形成于衬底上，第一叠层结构包括一导电结构和一绝缘结构，导电结构是设置邻接于绝缘结构。第一导电层形成于衬底上并围绕第一叠层结构的两侧壁和部份顶部，以暴露出第一叠层结构的一部分。