本发明的半导体装置切割用粘结带100是通过在基材膜10上形成放射线固化型粘结剂层20而得到的，其中，上述基材膜10由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层2的熔点为100℃～120℃，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与上述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层1的熔点为140℃～150℃。