本发明提供一种半导体结构及其制造方法。通过沟道重建使得源/漏区（110）位于侧墙（240）两侧的部分的顶部高于栅堆叠结构和侧墙（240）的底部，并且所述源/漏区（110）在所述栅堆叠结构和侧墙（240）的底部之下横向扩展超过侧墙（240），达到所述栅堆叠结构的正下方，从而获得抬高源漏MOSFET。本发明大量减少工艺步骤，提高效率并降低成本。