本发明提出一种半导体固态紫外光源器件，所述器件的外延结构中量子阱和量子垒在外延生长方向上存在组份梯度，量子阱和量子垒在外延生长方向上的组份梯度方向相反。本发明通过调整利用AlInGaN材料Al组份的变化来调节异质结构如多量子阱的能带结构，减少量子垒、阱的能带边倾斜，减少电子、空穴注入势垒，降低紫外LED的正向工作电压，提高量子阱的发光效率。