本发明关于一种具有屏蔽层的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、一内金属层、一屏蔽层、一绝缘材料、一金属层、一钝化层及一重布层。该内金属层位于该基板的一贯穿孔内。该屏蔽层环绕该内环金属。该绝缘材料位于该内金属层及该屏蔽层之间。该金属层位于该基板的一表面，且接触该屏蔽层，而不接触该内金属层。该重布层位于该钝化层的一开口以接触该内金属层。