本发明的电泵浦垂直扩展腔面发射半导体激光器属于半导体激光器领域，该激光器包括下电极，P型DBR层、有源层、第一N型DBR层、衬底层、第二N型DBR层、外延增透层、周期性光子晶体缺陷微腔结构和上电极；P型DBR层、有源层及第一N型DBR层构成一个谐振腔；第一N型DBR层、第二N型DBR层及周期性光子晶体缺陷微腔结构形成第二个谐振腔。本发明的有益效果是：该激光器的谐振腔具有三组DBR层，通过在最外层的DBR层上制备周期性光子晶体缺陷微腔结构，实现单模工作模式选择，同时不会对器件的有源层造成损伤。采用多层金属薄膜构成下电极以效降低串联电阻。采用单片集成结构，便于配置到集成光路系统中。